";123 Array
(
    [NAME] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США
    [~NAME] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США
    [TAGS] => микроэлектроника
    [~TAGS] => микроэлектроника
    [PREVIEW_TEXT] => 

Ученые из Стэнфордского университета в США разработали новую технологию для создания быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти. Она основана на принципе фазового перехода — переключении между состояниями высокого и низкого сопротивления для передачи двоичного кода.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Ученые из Стэнфордского университета в США разработали новую технологию для создания быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти. Она основана на принципе фазового перехода — переключении между состояниями высокого и низкого сопротивления для передачи двоичного кода.

[PREVIEW_PICTURE] => Array ( [ID] => 775 [TIMESTAMP_X] => 16.02.2024 16:09:46 [MODULE_ID] => iblock [HEIGHT] => 576 [WIDTH] => 1024 [FILE_SIZE] => 103442 [CONTENT_TYPE] => image/jpeg [SUBDIR] => iblock/b82/6m4eq9py51vyby74j0evb89zwz882u4o [FILE_NAME] => kandinskyPAMYAT.jpg [ORIGINAL_NAME] => kandinskyPAMYAT.jpg [DESCRIPTION] => [HANDLER_ID] => [EXTERNAL_ID] => 5cea2c3cb3de0796d5949e676a9ab6fc [VERSION_ORIGINAL_ID] => [META] => [SRC] => /upload/iblock/b82/6m4eq9py51vyby74j0evb89zwz882u4o/kandinskyPAMYAT.jpg [UNSAFE_SRC] => /upload/iblock/b82/6m4eq9py51vyby74j0evb89zwz882u4o/kandinskyPAMYAT.jpg [SAFE_SRC] => /upload/iblock/b82/6m4eq9py51vyby74j0evb89zwz882u4o/kandinskyPAMYAT.jpg [ALT] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США [TITLE] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США ) [~PREVIEW_PICTURE] => 775 [DETAIL_TEXT] =>

Специалисты уверены, что их технология станет основой будущего искусственного интеллекта и систем обработки данных. Новая память отличается стабильностью, долговечностью и может быть запущена в промышленное производство.

«Мы улучшаем не просто какой-то один показатель, такой как выносливость или скорость. Мы улучшаем несколько показателей одновременно. Это самая реалистичная и удобная для отрасли вещь, которую мы создали в этой сфере. Я хотел бы рассматривать это как шаг на пути к универсальной памяти», — сказал Эрик Поп, профессор материаловедения и инженерии в Стэнфордском университете.

Под универсальной памятью понимается такая технология, которая позволяет длительно хранить и быстро обрабатывать данные с низким энергопотреблением. Эрик Поп уверен, что их разработка максимально приближена к этому.

В основе разработки лежит сплав GST467, созданный специалистами Мэрилендского университета. Он состоит из германия, сурьмы и теллура. Поп и его коллеги смогли соединить этот сплав с несколькими другими материалами нанометровой толщины и получили слоистую структуру — сверхрешетку. По словам ученых, именно GST467 обеспечивает высокую скорость фазового перехода и низкое энергопотребление.

В цифрах преимущества сплава выглядят следующим образом: память на его основе может сохранять информацию в течение 10 и более лет в отсутствие внешнего источника питания. Она может работать при напряжении ниже 1В. Кроме того, новая память значительно быстрее обычного твердотельного накопителя. Сверхрешетка вмещает большое количество ячеек памяти размером до 40 нанометров, сообщает Scitechdaily.

Ранее «Мир робототехники» писал, что тайваньский гигант TSMC сообщил о прорыве в технологии, связанной с оперативной памятью. Совместно с Научно-исследовательским институтом промышленных технологий (ITRI) компания разработала инновационный чип SOT-MRAM.

[~DETAIL_TEXT] =>

Специалисты уверены, что их технология станет основой будущего искусственного интеллекта и систем обработки данных. Новая память отличается стабильностью, долговечностью и может быть запущена в промышленное производство.

«Мы улучшаем не просто какой-то один показатель, такой как выносливость или скорость. Мы улучшаем несколько показателей одновременно. Это самая реалистичная и удобная для отрасли вещь, которую мы создали в этой сфере. Я хотел бы рассматривать это как шаг на пути к универсальной памяти», — сказал Эрик Поп, профессор материаловедения и инженерии в Стэнфордском университете.

Под универсальной памятью понимается такая технология, которая позволяет длительно хранить и быстро обрабатывать данные с низким энергопотреблением. Эрик Поп уверен, что их разработка максимально приближена к этому.

В основе разработки лежит сплав GST467, созданный специалистами Мэрилендского университета. Он состоит из германия, сурьмы и теллура. Поп и его коллеги смогли соединить этот сплав с несколькими другими материалами нанометровой толщины и получили слоистую структуру — сверхрешетку. По словам ученых, именно GST467 обеспечивает высокую скорость фазового перехода и низкое энергопотребление.

В цифрах преимущества сплава выглядят следующим образом: память на его основе может сохранять информацию в течение 10 и более лет в отсутствие внешнего источника питания. Она может работать при напряжении ниже 1В. Кроме того, новая память значительно быстрее обычного твердотельного накопителя. Сверхрешетка вмещает большое количество ячеек памяти размером до 40 нанометров, сообщает Scitechdaily.

Ранее «Мир робототехники» писал, что тайваньский гигант TSMC сообщил о прорыве в технологии, связанной с оперативной памятью. Совместно с Научно-исследовательским институтом промышленных технологий (ITRI) компания разработала инновационный чип SOT-MRAM.

[DETAIL_PICTURE] => Array ( [ID] => 776 [TIMESTAMP_X] => 16.02.2024 16:09:46 [MODULE_ID] => iblock [HEIGHT] => 900 [WIDTH] => 1600 [FILE_SIZE] => 107374 [CONTENT_TYPE] => image/jpeg [SUBDIR] => iblock/782/rvhopw9jjewpbqn3w7kdhrzm8tdom76g [FILE_NAME] => kandinskyPAMYAT.jpg [ORIGINAL_NAME] => kandinskyPAMYAT.jpg [DESCRIPTION] => [HANDLER_ID] => [EXTERNAL_ID] => 2ec811a4f6675ede505ef5c3e6c9ccfe [VERSION_ORIGINAL_ID] => [META] => [SRC] => /upload/iblock/782/rvhopw9jjewpbqn3w7kdhrzm8tdom76g/kandinskyPAMYAT.jpg [UNSAFE_SRC] => /upload/iblock/782/rvhopw9jjewpbqn3w7kdhrzm8tdom76g/kandinskyPAMYAT.jpg [SAFE_SRC] => /upload/iblock/782/rvhopw9jjewpbqn3w7kdhrzm8tdom76g/kandinskyPAMYAT.jpg [ALT] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США [TITLE] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США ) [~DETAIL_PICTURE] => 776 [DATE_ACTIVE_FROM] => 29.01.2024 [~DATE_ACTIVE_FROM] => 29.01.2024 [ID] => 334 [~ID] => 334 [IBLOCK_ID] => 1 [~IBLOCK_ID] => 1 [IBLOCK_SECTION_ID] => 8 [~IBLOCK_SECTION_ID] => 8 [DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [TIMESTAMP_X] => 16.02.2024 16:09:46 [~TIMESTAMP_X] => 16.02.2024 16:09:46 [ACTIVE_FROM_X] => 2024-01-29 00:00:00 [~ACTIVE_FROM_X] => 2024-01-29 00:00:00 [ACTIVE_FROM] => 29.01.2024 [~ACTIVE_FROM] => 29.01.2024 [LIST_PAGE_URL] => / [~LIST_PAGE_URL] => / [DETAIL_PAGE_URL] => /components/tekhnologiyu-bystroy-i-energoeffektivnoy-kompyuternoy-pamyati-predstavili-v-ssha/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /components/tekhnologiyu-bystroy-i-energoeffektivnoy-kompyuternoy-pamyati-predstavili-v-ssha/ [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [CODE] => tekhnologiyu-bystroy-i-energoeffektivnoy-kompyuternoy-pamyati-predstavili-v-ssha [~CODE] => tekhnologiyu-bystroy-i-energoeffektivnoy-kompyuternoy-pamyati-predstavili-v-ssha [EXTERNAL_ID] => 334 [~EXTERNAL_ID] => 334 [IBLOCK_TYPE_ID] => news [~IBLOCK_TYPE_ID] => news [IBLOCK_CODE] => news_s1 [~IBLOCK_CODE] => news_s1 [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => furniture_news_s1 [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => furniture_news_s1 [LID] => s1 [~LID] => s1 [NAV_RESULT] => [NAV_CACHED_DATA] => [DISPLAY_ACTIVE_FROM] => 29.01.2024 [IPROPERTY_VALUES] => Array ( [SECTION_META_TITLE] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США [ELEMENT_META_TITLE] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США ) [FIELDS] => Array ( [NAME] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США [TAGS] => микроэлектроника [PREVIEW_TEXT] =>

Ученые из Стэнфордского университета в США разработали новую технологию для создания быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти. Она основана на принципе фазового перехода — переключении между состояниями высокого и низкого сопротивления для передачи двоичного кода.

[PREVIEW_PICTURE] => Array ( [ID] => 775 [TIMESTAMP_X] => 16.02.2024 16:09:46 [MODULE_ID] => iblock [HEIGHT] => 576 [WIDTH] => 1024 [FILE_SIZE] => 103442 [CONTENT_TYPE] => image/jpeg [SUBDIR] => iblock/b82/6m4eq9py51vyby74j0evb89zwz882u4o [FILE_NAME] => kandinskyPAMYAT.jpg [ORIGINAL_NAME] => kandinskyPAMYAT.jpg [DESCRIPTION] => [HANDLER_ID] => [EXTERNAL_ID] => 5cea2c3cb3de0796d5949e676a9ab6fc [VERSION_ORIGINAL_ID] => [META] => [SRC] => /upload/iblock/b82/6m4eq9py51vyby74j0evb89zwz882u4o/kandinskyPAMYAT.jpg [UNSAFE_SRC] => /upload/iblock/b82/6m4eq9py51vyby74j0evb89zwz882u4o/kandinskyPAMYAT.jpg [SAFE_SRC] => /upload/iblock/b82/6m4eq9py51vyby74j0evb89zwz882u4o/kandinskyPAMYAT.jpg [ALT] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США [TITLE] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США ) [DETAIL_TEXT] =>

Специалисты уверены, что их технология станет основой будущего искусственного интеллекта и систем обработки данных. Новая память отличается стабильностью, долговечностью и может быть запущена в промышленное производство.

«Мы улучшаем не просто какой-то один показатель, такой как выносливость или скорость. Мы улучшаем несколько показателей одновременно. Это самая реалистичная и удобная для отрасли вещь, которую мы создали в этой сфере. Я хотел бы рассматривать это как шаг на пути к универсальной памяти», — сказал Эрик Поп, профессор материаловедения и инженерии в Стэнфордском университете.

Под универсальной памятью понимается такая технология, которая позволяет длительно хранить и быстро обрабатывать данные с низким энергопотреблением. Эрик Поп уверен, что их разработка максимально приближена к этому.

В основе разработки лежит сплав GST467, созданный специалистами Мэрилендского университета. Он состоит из германия, сурьмы и теллура. Поп и его коллеги смогли соединить этот сплав с несколькими другими материалами нанометровой толщины и получили слоистую структуру — сверхрешетку. По словам ученых, именно GST467 обеспечивает высокую скорость фазового перехода и низкое энергопотребление.

В цифрах преимущества сплава выглядят следующим образом: память на его основе может сохранять информацию в течение 10 и более лет в отсутствие внешнего источника питания. Она может работать при напряжении ниже 1В. Кроме того, новая память значительно быстрее обычного твердотельного накопителя. Сверхрешетка вмещает большое количество ячеек памяти размером до 40 нанометров, сообщает Scitechdaily.

Ранее «Мир робототехники» писал, что тайваньский гигант TSMC сообщил о прорыве в технологии, связанной с оперативной памятью. Совместно с Научно-исследовательским институтом промышленных технологий (ITRI) компания разработала инновационный чип SOT-MRAM.

[DETAIL_PICTURE] => Array ( [ID] => 776 [TIMESTAMP_X] => 16.02.2024 16:09:46 [MODULE_ID] => iblock [HEIGHT] => 900 [WIDTH] => 1600 [FILE_SIZE] => 107374 [CONTENT_TYPE] => image/jpeg [SUBDIR] => iblock/782/rvhopw9jjewpbqn3w7kdhrzm8tdom76g [FILE_NAME] => kandinskyPAMYAT.jpg [ORIGINAL_NAME] => kandinskyPAMYAT.jpg [DESCRIPTION] => [HANDLER_ID] => [EXTERNAL_ID] => 2ec811a4f6675ede505ef5c3e6c9ccfe [VERSION_ORIGINAL_ID] => [META] => [SRC] => /upload/iblock/782/rvhopw9jjewpbqn3w7kdhrzm8tdom76g/kandinskyPAMYAT.jpg [UNSAFE_SRC] => /upload/iblock/782/rvhopw9jjewpbqn3w7kdhrzm8tdom76g/kandinskyPAMYAT.jpg [SAFE_SRC] => /upload/iblock/782/rvhopw9jjewpbqn3w7kdhrzm8tdom76g/kandinskyPAMYAT.jpg [ALT] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США [TITLE] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США ) [DATE_ACTIVE_FROM] => 29.01.2024 ) [PROPERTIES] => Array ( [AUTHOR] => Array ( [ID] => 9 [TIMESTAMP_X] => 2024-04-16 13:42:26 [IBLOCK_ID] => 1 [NAME] => Автор статьи [ACTIVE] => Y [SORT] => 500 [CODE] => AUTHOR [DEFAULT_VALUE] => [PROPERTY_TYPE] => S [ROW_COUNT] => 1 [COL_COUNT] => 30 [LIST_TYPE] => L [MULTIPLE] => N [XML_ID] => [FILE_TYPE] => [MULTIPLE_CNT] => 5 [TMP_ID] => [LINK_IBLOCK_ID] => 0 [WITH_DESCRIPTION] => N [SEARCHABLE] => N [FILTRABLE] => N [IS_REQUIRED] => N [VERSION] => 1 [USER_TYPE] => [USER_TYPE_SETTINGS] => a:0:{} [HINT] => [PROPERTY_VALUE_ID] => [VALUE] => [DESCRIPTION] => [VALUE_ENUM] => [VALUE_XML_ID] => [VALUE_SORT] => [~VALUE] => [~DESCRIPTION] => [~NAME] => Автор статьи [~DEFAULT_VALUE] => ) [AU_PHOTO] => Array ( [ID] => 10 [TIMESTAMP_X] => 2024-04-16 13:42:26 [IBLOCK_ID] => 1 [NAME] => Автор фото [ACTIVE] => Y [SORT] => 500 [CODE] => AU_PHOTO [DEFAULT_VALUE] => [PROPERTY_TYPE] => S [ROW_COUNT] => 1 [COL_COUNT] => 30 [LIST_TYPE] => L [MULTIPLE] => N [XML_ID] => [FILE_TYPE] => [MULTIPLE_CNT] => 5 [TMP_ID] => [LINK_IBLOCK_ID] => 0 [WITH_DESCRIPTION] => N [SEARCHABLE] => N [FILTRABLE] => N [IS_REQUIRED] => N [VERSION] => 1 [USER_TYPE] => [USER_TYPE_SETTINGS] => a:0:{} [HINT] => [PROPERTY_VALUE_ID] => 1150 [VALUE] => Kandinsky [DESCRIPTION] => [VALUE_ENUM] => [VALUE_XML_ID] => [VALUE_SORT] => [~VALUE] => Kandinsky [~DESCRIPTION] => [~NAME] => Автор фото [~DEFAULT_VALUE] => ) [IMG_MAIN] => Array ( [ID] => 11 [TIMESTAMP_X] => 2024-04-16 13:42:26 [IBLOCK_ID] => 1 [NAME] => Картинка для Главной [ACTIVE] => Y [SORT] => 500 [CODE] => IMG_MAIN [DEFAULT_VALUE] => [PROPERTY_TYPE] => F [ROW_COUNT] => 1 [COL_COUNT] => 30 [LIST_TYPE] => L [MULTIPLE] => N [XML_ID] => [FILE_TYPE] => [MULTIPLE_CNT] => 5 [TMP_ID] => [LINK_IBLOCK_ID] => 0 [WITH_DESCRIPTION] => N [SEARCHABLE] => N [FILTRABLE] => N [IS_REQUIRED] => N [VERSION] => 1 [USER_TYPE] => [USER_TYPE_SETTINGS] => a:0:{} [HINT] => [PROPERTY_VALUE_ID] => [VALUE] => [DESCRIPTION] => [VALUE_ENUM] => [VALUE_XML_ID] => [VALUE_SORT] => [~VALUE] => [~DESCRIPTION] => [~NAME] => Картинка для Главной [~DEFAULT_VALUE] => ) [MAIN_THEME] => Array ( [ID] => 12 [TIMESTAMP_X] => 2024-04-16 13:42:26 [IBLOCK_ID] => 1 [NAME] => Главная тема [ACTIVE] => Y [SORT] => 500 [CODE] => MAIN_THEME [DEFAULT_VALUE] => [PROPERTY_TYPE] => L [ROW_COUNT] => 1 [COL_COUNT] => 30 [LIST_TYPE] => L [MULTIPLE] => N [XML_ID] => [FILE_TYPE] => [MULTIPLE_CNT] => 5 [TMP_ID] => [LINK_IBLOCK_ID] => 0 [WITH_DESCRIPTION] => N [SEARCHABLE] => N [FILTRABLE] => N [IS_REQUIRED] => N [VERSION] => 1 [USER_TYPE] => [USER_TYPE_SETTINGS] => a:0:{} [HINT] => [PROPERTY_VALUE_ID] => [VALUE] => [DESCRIPTION] => [VALUE_ENUM] => [VALUE_XML_ID] => [VALUE_SORT] => [VALUE_ENUM_ID] => [~VALUE] => [~DESCRIPTION] => [~NAME] => Главная тема [~DEFAULT_VALUE] => ) [MAIN_SECT] => Array ( [ID] => 13 [TIMESTAMP_X] => 2024-04-16 13:42:26 [IBLOCK_ID] => 1 [NAME] => В своём разделе [ACTIVE] => Y [SORT] => 500 [CODE] => MAIN_SECT [DEFAULT_VALUE] => [PROPERTY_TYPE] => L [ROW_COUNT] => 1 [COL_COUNT] => 30 [LIST_TYPE] => L [MULTIPLE] => N [XML_ID] => [FILE_TYPE] => [MULTIPLE_CNT] => 5 [TMP_ID] => [LINK_IBLOCK_ID] => 0 [WITH_DESCRIPTION] => N [SEARCHABLE] => N [FILTRABLE] => N [IS_REQUIRED] => N [VERSION] => 1 [USER_TYPE] => [USER_TYPE_SETTINGS] => a:0:{} [HINT] => [PROPERTY_VALUE_ID] => [VALUE] => [DESCRIPTION] => [VALUE_ENUM] => [VALUE_XML_ID] => [VALUE_SORT] => [VALUE_ENUM_ID] => [~VALUE] => [~DESCRIPTION] => [~NAME] => В своём разделе [~DEFAULT_VALUE] => ) [VIDEO_YOU] => Array ( [ID] => 14 [TIMESTAMP_X] => 2024-04-16 13:42:26 [IBLOCK_ID] => 1 [NAME] => Видео youtobe [ACTIVE] => Y [SORT] => 500 [CODE] => VIDEO_YOU [DEFAULT_VALUE] => [PROPERTY_TYPE] => S [ROW_COUNT] => 1 [COL_COUNT] => 30 [LIST_TYPE] => L [MULTIPLE] => N [XML_ID] => [FILE_TYPE] => [MULTIPLE_CNT] => 5 [TMP_ID] => [LINK_IBLOCK_ID] => 0 [WITH_DESCRIPTION] => N [SEARCHABLE] => N [FILTRABLE] => N [IS_REQUIRED] => N [VERSION] => 1 [USER_TYPE] => [USER_TYPE_SETTINGS] => a:0:{} [HINT] => [PROPERTY_VALUE_ID] => [VALUE] => [DESCRIPTION] => [VALUE_ENUM] => [VALUE_XML_ID] => [VALUE_SORT] => [~VALUE] => [~DESCRIPTION] => [~NAME] => Видео youtobe [~DEFAULT_VALUE] => ) ) [DISPLAY_PROPERTIES] => Array ( [AU_PHOTO] => Array ( [ID] => 10 [TIMESTAMP_X] => 2024-04-16 13:42:26 [IBLOCK_ID] => 1 [NAME] => Автор фото [ACTIVE] => Y [SORT] => 500 [CODE] => AU_PHOTO [DEFAULT_VALUE] => [PROPERTY_TYPE] => S [ROW_COUNT] => 1 [COL_COUNT] => 30 [LIST_TYPE] => L [MULTIPLE] => N [XML_ID] => [FILE_TYPE] => [MULTIPLE_CNT] => 5 [TMP_ID] => [LINK_IBLOCK_ID] => 0 [WITH_DESCRIPTION] => N [SEARCHABLE] => N [FILTRABLE] => N [IS_REQUIRED] => N [VERSION] => 1 [USER_TYPE] => [USER_TYPE_SETTINGS] => a:0:{} [HINT] => [PROPERTY_VALUE_ID] => 1150 [VALUE] => Kandinsky [DESCRIPTION] => [VALUE_ENUM] => [VALUE_XML_ID] => [VALUE_SORT] => [~VALUE] => Kandinsky [~DESCRIPTION] => [~NAME] => Автор фото [~DEFAULT_VALUE] => [DISPLAY_VALUE] => Kandinsky ) ) [IBLOCK] => Array ( [ID] => 1 [~ID] => 1 [TIMESTAMP_X] => 16.04.2024 13:42:26 [~TIMESTAMP_X] => 16.04.2024 13:42:26 [IBLOCK_TYPE_ID] => news [~IBLOCK_TYPE_ID] => news [LID] => s1 [~LID] => s1 [CODE] => news_s1 [~CODE] => news_s1 [API_CODE] => [~API_CODE] => [REST_ON] => N [~REST_ON] => N [NAME] => Статьи [~NAME] => Статьи [ACTIVE] => Y [~ACTIVE] => Y [SORT] => 500 [~SORT] => 500 [LIST_PAGE_URL] => [~LIST_PAGE_URL] => [DETAIL_PAGE_URL] => #SITE_DIR#/#SECTION_CODE#/#ELEMENT_CODE#/ [~DETAIL_PAGE_URL] => #SITE_DIR#/#SECTION_CODE#/#ELEMENT_CODE#/ [SECTION_PAGE_URL] => #SITE_DIR#/#SECTION_CODE# [~SECTION_PAGE_URL] => #SITE_DIR#/#SECTION_CODE# [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [PICTURE] => [~PICTURE] => [DESCRIPTION] => [~DESCRIPTION] => [DESCRIPTION_TYPE] => text [~DESCRIPTION_TYPE] => text [RSS_TTL] => 24 [~RSS_TTL] => 24 [RSS_ACTIVE] => Y [~RSS_ACTIVE] => Y [RSS_FILE_ACTIVE] => N [~RSS_FILE_ACTIVE] => N [RSS_FILE_LIMIT] => [~RSS_FILE_LIMIT] => [RSS_FILE_DAYS] => [~RSS_FILE_DAYS] => [RSS_YANDEX_ACTIVE] => N [~RSS_YANDEX_ACTIVE] => N [XML_ID] => furniture_news_s1 [~XML_ID] => furniture_news_s1 [TMP_ID] => 6cfbdd5e02a2f38f8bf51afa68b2792c [~TMP_ID] => 6cfbdd5e02a2f38f8bf51afa68b2792c [INDEX_ELEMENT] => Y [~INDEX_ELEMENT] => Y [INDEX_SECTION] => Y [~INDEX_SECTION] => Y [WORKFLOW] => N [~WORKFLOW] => N [BIZPROC] => N [~BIZPROC] => N [SECTION_CHOOSER] => L [~SECTION_CHOOSER] => L [LIST_MODE] => [~LIST_MODE] => [RIGHTS_MODE] => S [~RIGHTS_MODE] => S [SECTION_PROPERTY] => N [~SECTION_PROPERTY] => N [PROPERTY_INDEX] => N [~PROPERTY_INDEX] => N [VERSION] => 1 [~VERSION] => 1 [LAST_CONV_ELEMENT] => 0 [~LAST_CONV_ELEMENT] => 0 [SOCNET_GROUP_ID] => [~SOCNET_GROUP_ID] => [EDIT_FILE_BEFORE] => [~EDIT_FILE_BEFORE] => [EDIT_FILE_AFTER] => [~EDIT_FILE_AFTER] => [SECTIONS_NAME] => Разделы [~SECTIONS_NAME] => Разделы [SECTION_NAME] => Раздел [~SECTION_NAME] => Раздел [ELEMENTS_NAME] => Статьи [~ELEMENTS_NAME] => Статьи [ELEMENT_NAME] => Статья [~ELEMENT_NAME] => Статья [EXTERNAL_ID] => furniture_news_s1 [~EXTERNAL_ID] => furniture_news_s1 [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [SERVER_NAME] => roboticsworld.ru [~SERVER_NAME] => roboticsworld.ru ) [SECTION] => Array ( [PATH] => Array ( [0] => Array ( [ID] => 8 [~ID] => 8 [CODE] => components [~CODE] => components [XML_ID] => [~XML_ID] => [EXTERNAL_ID] => [~EXTERNAL_ID] => [IBLOCK_ID] => 1 [~IBLOCK_ID] => 1 [IBLOCK_SECTION_ID] => [~IBLOCK_SECTION_ID] => [SORT] => 250 [~SORT] => 250 [NAME] => Компоненты [~NAME] => Компоненты [ACTIVE] => Y [~ACTIVE] => Y [DEPTH_LEVEL] => 1 [~DEPTH_LEVEL] => 1 [SECTION_PAGE_URL] => /components [~SECTION_PAGE_URL] => /components [IBLOCK_TYPE_ID] => news [~IBLOCK_TYPE_ID] => news [IBLOCK_CODE] => news_s1 [~IBLOCK_CODE] => news_s1 [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => furniture_news_s1 [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => furniture_news_s1 [GLOBAL_ACTIVE] => Y [~GLOBAL_ACTIVE] => Y [IPROPERTY_VALUES] => Array ( [SECTION_META_TITLE] => Компоненты [ELEMENT_META_TITLE] => Компоненты ) ) ) ) [SECTION_URL] => /components [META_TAGS] => Array ( [TITLE] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США [BROWSER_TITLE] => Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США [KEYWORDS] => [DESCRIPTION] => ) )

Технологию быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти представили в США

Ученые из Стэнфордского университета в США разработали новую технологию для создания быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти. Она основана на принципе фазового перехода — переключении между состояниями высокого и низкого сопротивления для передачи двоичного кода.

Специалисты уверены, что их технология станет основой будущего искусственного интеллекта и систем обработки данных. Новая память отличается стабильностью, долговечностью и может быть запущена в промышленное производство.

«Мы улучшаем не просто какой-то один показатель, такой как выносливость или скорость. Мы улучшаем несколько показателей одновременно. Это самая реалистичная и удобная для отрасли вещь, которую мы создали в этой сфере. Я хотел бы рассматривать это как шаг на пути к универсальной памяти», — сказал Эрик Поп, профессор материаловедения и инженерии в Стэнфордском университете.

Под универсальной памятью понимается такая технология, которая позволяет длительно хранить и быстро обрабатывать данные с низким энергопотреблением. Эрик Поп уверен, что их разработка максимально приближена к этому.

В основе разработки лежит сплав GST467, созданный специалистами Мэрилендского университета. Он состоит из германия, сурьмы и теллура. Поп и его коллеги смогли соединить этот сплав с несколькими другими материалами нанометровой толщины и получили слоистую структуру — сверхрешетку. По словам ученых, именно GST467 обеспечивает высокую скорость фазового перехода и низкое энергопотребление.

В цифрах преимущества сплава выглядят следующим образом: память на его основе может сохранять информацию в течение 10 и более лет в отсутствие внешнего источника питания. Она может работать при напряжении ниже 1В. Кроме того, новая память значительно быстрее обычного твердотельного накопителя. Сверхрешетка вмещает большое количество ячеек памяти размером до 40 нанометров, сообщает Scitechdaily.

Ранее «Мир робототехники» писал, что тайваньский гигант TSMC сообщил о прорыве в технологии, связанной с оперативной памятью. Совместно с Научно-исследовательским институтом промышленных технологий (ITRI) компания разработала инновационный чип SOT-MRAM.

29.01.2024
Фото: Kandinsky

Мы рекомендуем:

Батарейка из воды: в Китае разработали мощные и безопасные аккумуляторы на водной основе

Батарейка из воды: в Китае разработали мощные и безопасные аккумуляторы на водной основе