Ученые из Стэнфордского университета в США разработали новую технологию для создания быстрой и энергоэффективной компьютерной памяти. Она основана на принципе фазового перехода — переключении между состояниями высокого и низкого сопротивления для передачи двоичного кода.
Специалисты уверены, что их технология станет основой будущего искусственного интеллекта и систем обработки данных. Новая память отличается стабильностью, долговечностью и может быть запущена в промышленное производство.
«Мы улучшаем не просто какой-то один показатель, такой как выносливость или скорость. Мы улучшаем несколько показателей одновременно. Это самая реалистичная и удобная для отрасли вещь, которую мы создали в этой сфере. Я хотел бы рассматривать это как шаг на пути к универсальной памяти», — сказал Эрик Поп, профессор материаловедения и инженерии в Стэнфордском университете.
Под универсальной памятью понимается такая технология, которая позволяет длительно хранить и быстро обрабатывать данные с низким энергопотреблением. Эрик Поп уверен, что их разработка максимально приближена к этому.
В основе разработки лежит сплав GST467, созданный специалистами Мэрилендского университета. Он состоит из германия, сурьмы и теллура. Поп и его коллеги смогли соединить этот сплав с несколькими другими материалами нанометровой толщины и получили слоистую структуру — сверхрешетку. По словам ученых, именно GST467 обеспечивает высокую скорость фазового перехода и низкое энергопотребление.
В цифрах преимущества сплава выглядят следующим образом: память на его основе может сохранять информацию в течение 10 и более лет в отсутствие внешнего источника питания. Она может работать при напряжении ниже 1В. Кроме того, новая память значительно быстрее обычного твердотельного накопителя. Сверхрешетка вмещает большое количество ячеек памяти размером до 40 нанометров, сообщает Scitechdaily.
Ранее «Мир робототехники» писал, что тайваньский гигант TSMC сообщил о прорыве в технологии, связанной с оперативной памятью. Совместно с Научно-исследовательским институтом промышленных технологий (ITRI) компания разработала инновационный чип SOT-MRAM.
