Тайваньский гигант TSMC сообщил о прорыве в технологии, связанной с оперативной памятью. Совместно с Научно-исследовательским институтом промышленных технологий (ITRI) компания разработала инновационный чип SOT-MRAM.
MRAM — это магниторезистивная оперативная память (magnetoresistive random-access memory). Она хранит информацию с помощью магнитных моментов, которые образуются в спиновых вентилях — устройствах, состоящих из двух или более проводящих магнитных материалов, у которых в зависимости от намагниченности может меняться электрическое сопротивление.
Преимущества этого типа памяти заключаются в энергонезависимости. MRAM сохраняет обрабатываемую информацию даже в случае отсутствия внешнего питания. Кроме того, MRAM быстрее, чем ее более распространенные аналоги, такие как DRAM.
Сегодня выпускаются чипы STT-MRAM (запись данных с помощью переноса спинового момента).
SOT-MRAM — перспективная технология, основанная на спин-орбитальном вращательном моменте. Новый чип TSMC, основанный на этом принципе, показывает не только инновационную архитектуру вычислений, но и энергопотребление, составляющее всего 1% от требуемого для работы STT-MRAM.
Разработчики уверены, что технология обладает потенциалом для применения в высокопроизводительных вычислениях (HPC), искусственном интеллекте (ИИ), автомобильных чипах и многом другом, сообщает Economic Daily.
Ранее «Мир робототехники» писал, что команда гарвардских ученых во главе с Михаилом Лукиным сделала значительный шаг к созданию практичных и отказоустойчивых квантовых компьютеров. Специалисты разработали новый логический квантовый процессор с 48 логическими кубитами.
