
В Институте физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) представлен план разработки российского оборудования для производства современных микросхем. Проект предполагает создание литографа, который будет дешевле и технологически проще, чем установки компании ASML.
В российской установке будет осуществлена замена оловянного лазера на ксеноновый, что должно уменьшить загрязнение оптических элементов и продлить срок службы дорогостоящих компонентов.
Производительность планируемого литографа будет ниже, чем у аналогов ASML, но ученые считают это достаточным для удовлетворения потребностей российских предприятий.
Реализация проекта будет происходить в три этапа: первый состоит из научно-исследовательской работы (НИОКР). На втором этапе заявлено создание опытного образца. Помимо этого, планируется проведение интеграции рентгеновской литографии в высокопроизводительную линейку производства отечественных чипов.
На третьем этапе будет создан литограф, готовый к эксплуатации на фабрике. Успех проекта позволит России обеспечить технологический суверенитет в области микроэлектроники, сообщает CNews.