Ученые Новосибирского государственного университета (НГУ) получили перспективные полупроводниковые материалы для создания элементов памяти будущего. Они превосходят по характеристикам современную флеш-память.
Материалы на основе германо-силикатного стекла обладают эффектом памяти (мемристорным эффектом). Как ожидается, они смогут обеспечить большее количество циклов перезаписи, увеличенную емкость и повышенное быстродействие по сравнению с существующими аналогами.
Исследователи первыми в мире обнаружили этот эффект в подобных материалах и изучают их опто-электрические свойства и процессы, происходящие при протекании тока.
Ученые НГУ используют модель «Ток, ограниченный пространственным зарядом» (ТОПЗ) для прогнозирования параметров будущих мемристоров, что позволяет теоретически определять их характеристики без выращивания наноструктур. Это значительно ускоряет процесс разработки нового типа памяти.
По словам научного сотрудника лаборатории НГУ Ивана Юшкова, мемристоры могут в тысячи раз увеличить количество циклов перезаписи по сравнению с флеш-памятью и обладать более высокой скоростью записи и стирания данных, сообщает ТАСС.
