Более экологичное будущее с технологией MRAM

Исследователи из Университета Осаки разработали инновационную технологию для магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), которая значительно снижает энергопотребление при записи данных. Разработка открывает новые способы создания более энергоэффективных и экологичных вычислительных устройств.

В отличие от традиционной динамической оперативной памяти (DRAM), которая требует постоянного потребления энергии для сохранения данных, MRAM использует магнитные состояния, такие как направление намагниченности, для хранения информации, что делает ее энергонезависимой. Однако для переключения векторов намагниченности чаще всего требуется большое количество энергии.

Японские ученые разработали новый компонент управления MRAM. Его основа — мультиферроидная гетероструктура, в которой векторы намагниченности можно переключать с помощью электрического поля. Это позволило существенно снизить энергопотребление.

Но возникла другая проблема: структурные колебания в некоторых частях ферромагнитного слоя стали препятствием для надежной работы в электрическом поле.

Чтобы решить ее, разработчики внедрили ультратонкий слой ванадия между ферромагнитным и пьезоэлектрическим слоями, что позволило получить более четкую границу и контролировать магнитную анизотропию в ферромагнитном слое. Кроме того, эффект обратной магнитоэлектрической связи, коэффициент которой характеризует реакцию гетероструктуры на электрическое поле, превзошел показатели аналогичных устройств без слоя ванадия.

Новая технология MRAM открывает путь к будущему, в котором электроника будет более экологичной.

17.01.2025
Полина Смола
Фото: Freepik – xb100

Мы рекомендуем:

Китайский термоядерный рекорд: на шаг ближе к бесконечной энергии